サービス内容・範囲とテスト項目
ａ． TEM 薄片サンプル-
デュアルビーム集束イオンビーム顕微鏡 (DB- FIB) の重要な用途は、透過型電子顕微鏡 (TEM) 用の極薄サンプルの調製です。 GRGTEST Metrology は、このアプリケーションに対して次のテスト項目を提供できます。
サービス内容
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テスト項目 |
見積単位 |
サンプルの種類 |
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シリコン (Si) ベースのサンプル XS (断面-) サンプルの前処理 |
それぞれ（それぞれ） |
14nm以下の高度なプロセスチップ。 28nm、40nm、55nm以上のチップ |
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シリコン (Si) ベースのサンプル PV (平面図-) サンプルの準備 |
それぞれ（それぞれ） |
14nm以下の高度なプロセスチップ。 28nm、40nm、55nm以上のチップ |
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非シリコンベースのサンプル XS (断面-) サンプルの準備 |
時間 (h) |
ガリウムヒ素 (GaAs)、窒化ガリウム (GaN)、炭化ケイ素 (SiC) などの非シリコンベースのサンプル。- |
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非シリコンベースのサンプル PV（平面図-）サンプルの準備 |
時間 (h) |
ガリウムヒ素 (GaAs)、窒化ガリウム (GaN)、炭化ケイ素 (SiC) などの非シリコンベースのサンプル。- |
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特別なサンプルの準備 |
時間 (h) |
リチウム電池材料、グラフェン電極材料などの各種新材料サンプル |
b. FA ホットスポットの断面分析-
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テスト項目 |
見積単位 |
サンプルの種類 |
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FA ホットスポット断面分析（OBIRCH などの方法でキャプチャされたホットスポットを含む。ホットスポット キャプチャを含むワンストップ テストが利用可能）- |
時間 (h) |
半導体サンプル：ウエハー、IC、部品、MEMS、レーザーなど |
c.従来の断面処理-
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テスト項目 |
見積単位 |
サンプルの種類 |
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ターゲットを絞った断面処理- |
時間 (h) |
半導体サンプル: ウェーハ、IC、コンポーネント、PCB、MEMS、レーザーなど、その他の非半導体サンプル:{1}} |
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非ターゲット断面処理-- |
時間 (h) |
半導体サンプル: ウェーハ、IC、コンポーネント、PCB、MEMS、レーザーなど、その他の非半導体サンプル:{1}} |
テストサイクル
標準のテスト サイクルは 3 暦日です。特別な要件については、48 時間、24 時間、12 時間の異なる応答時間で見積もりを提供できます。
私たちの利点
GRGTEST Measurement のチーム メンバーは、高度なウェーハ製造プロセスにおける適切な経験を持っています。当社は顧客中心のアプローチを堅持し、正確かつタイムリーで包括的なテスト サービスを提供することに尽力しています。-
GRGTEST Measurement は、中国に上場されている最大の国営サードパーティ検査会社です。{0}当社のプラットフォームには、健全な管理メカニズムと包括的な全プロセスのテストおよび分析機能が備わっており、プロジェクト全体に対してタイムリーかつ信頼できる分析をクライアントに提供できます。{3}
サンプル要件
無水;サンプルには液体成分が含まれていてはなりません。イオンビーム照射下でも安定（一部の有機サンプルは検出できない）。寸法は通常10cm×10cm×5cm（長さ×幅×高さ）を超えないものとします。
人気ラベル: db-fib (デュアル-ビーム集束イオンビーム)、中国 db-fib (デュアル-ビーム集束イオンビーム) サービスプロバイダー
