材料の微細構造解析

高度なプロセス ウェーハ-レベルの FIB サンプル前処理と TEM 分析サービスは、ナノマテリアルの指定された位置で FIB サンプル前処理を実行し、それを透過型電子顕微鏡 (TEM) 技術と組み合わせることで、高度なプロセス チップ向けの正確なサンプル前処理と構造解析ソリューションを提供します。

GRGTEST Metrology は、プロフェッショナルなデュアル ビーム集束イオン ビーム (DB{1}FIB) 分析サービスを提供します。{0}人気のあるテスト サービスには、高度なプロセス (14 nm 以下) の TEM サンプル セクション、FA ホットスポット解析 (OBIRCH

透過型電子顕微鏡（TEM）は、材料や半導体の分野において欠かせない分析装置となっています。これは、高エネルギー電子ビームを照明源として使用し、電磁レンズを通してサンプル (厚さ約 10 ～ 150 nm) を通過する電子 (つまり、透過電子) を集束させて画像を形成する電子光学機器です。-複数のTEM技術を組み合わせることで、試料の形態、結晶構造、化学組成に関する情報を同時に取得できます。

ウェーハ切断装置と SEM イメージング サービスは、材料科学、エレクトロニクス産業、生物医学研究の重要な技術サポートであり、特に内部構造観察、欠陥分析、研究開発検証に適しています。

Bruker Dimension ICON6 原子間力顕微鏡は、コンタクト、タッピング、ピークフォースタッピングを含む 12 のモードをサポートし、さまざまなサンプルの検査ニーズを満たし、半導体ウェーハ製造工場、FAB、パッケージング工場に多様な検査方法を提供します。

EDS はエネルギー分散型分光計の略で、X 線エネルギー分散型分光分析手法です。-その原理は、さまざまな元素がさまざまな周波数またはエネルギーの特性 X- 線を放出するという事実に基づいています。これらの特性 X- により、サンプルに含まれる元素の定性的および半定量的な検出が可能になり、サンプルの組成が決定されます。-。 EDS は通常、周期表の Li 以降の元素 (Li を除く)

Compared to traditional gallium-ion focused ion beam (Ga-FIB), PFIB utilizes a more powerful xenon (Xe) ion beam, achieving a maximum current of 2.5 μA at 30 keV energy, which increases its etching